MOSFET的研究報(bào)告顯示， MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域占有40%的份額。除了 IGBT、 SiC、 GaN等大熱能器件外，MOSFET也是我們不可忽視的領(lǐng)域，為什么 MOSFET在功率半導(dǎo)體器件中占有40%的份額？

       MOSFET大約在1980年前后出現(xiàn)，是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路中，將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)換成輸出電流的變化，如開關(guān)、放大等。90年代前后， MOSFET逐步研制成功。2008年，英飛凌推出了柵格電源 MOSFET。目前市場(chǎng)有平面型、屏蔽柵溝槽、超結(jié)和槽型四類主流MOSFET。

       MOSFET是功率半導(dǎo)體的一種，在日常生活中，任何涉及到發(fā)電、輸電、變電、配電、電力、儲(chǔ)存等環(huán)節(jié)，都離不開功率半導(dǎo)體。電力半導(dǎo)體器件是不可替代的基礎(chǔ)產(chǎn)品，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)的各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)然功率半導(dǎo)體除MOSFET以外，還有功率器件和功率IC兩種。

       從這三種晶體管的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，三極管市場(chǎng)相對(duì)分散，價(jià)格較低，但對(duì)價(jià)格敏感性和感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用還存在一定的需求，但由于三極管功耗較大等問(wèn)題，在全球節(jié)能的大環(huán)境下，三極管的市場(chǎng)規(guī)模正逐漸走向衰退。因此 MOSFET與 IGBT的市場(chǎng)集中度較高。

       那為什么 MOSFET會(huì)有這么大的市場(chǎng)份額呢？第一， MOSFET器件是電壓控制型器件，即根據(jù)電壓控制電流的大小，在應(yīng)用中易于控制；第二， MOSFET工作頻率較高，與 IGBT及三極管器件相比， MOSFET器件更符合高頻化發(fā)展的要求；最后， MOSFET是單一載流子導(dǎo)電，并且 IGBT和三極管都是多子導(dǎo)電，因此不存在載流子復(fù)合效應(yīng)，就沒(méi)有電流拖尾等現(xiàn)象發(fā)生，效果更好。

       綜上所述，小編發(fā)現(xiàn)MOSFET因?yàn)閼?yīng)用、功能、應(yīng)用場(chǎng)景等特點(diǎn)而受到市場(chǎng)喜愛(ài)，我想這大概就是能占半導(dǎo)體40%的原因吧，想要了解更多MOSFET、二三極管等半導(dǎo)體的應(yīng)用、選型知識(shí)介紹，可做收藏點(diǎn)擊咨詢服務(wù)詳詢，為您帶來(lái)更多的電子元器件行業(yè)資訊。